系统研究了Bi₂SeO₅的拉曼光谱特性，发现其拉曼特征峰强度随纳米片厚度增加而增强，显示出明显的厚度依赖性。进一步将Bi₂SeO₅与典型二维半导体进行集成：以MoS₂为沟道构建的背栅场效应晶体管(FET)中，Bi₂SeO₅凭借其优异的介电特性实现高效栅极调控，器件表现出高达10⁶的开关比和144 mV·dec^-1的低亚阈值摆幅(SS)，彰显出卓越的介电调控能力。同时，Bi₂SeO₅作为封装层，能够有效保护对气氛敏感的黑磷(BP)和硒化铟(InSe)，显著提升二者在空气中的稳定性。这些结果证实了Bi₂SeO₅与二维材料能够形成平整、紧密的界面。同时，Bi₂SeO₅兼具优异的介电性能以及良好的保护功能，具有双重优势。